ESPECIFICACIONES
CAPACIDAD
1 TB
INTERFAZ
PCIE ×4 DE 4TA. GEN., NVME 1.4
MEMORIA NAND FLASH
3D TLC
TAMAÑO
M.2 2280-S2
RENDIMIENTO
LECTURA SECUENCIAL (MÁXIMA, MB/S), 128 KB
7300MB/S
ESCRITURA SECUENCIAL (MÁXIMA, MB/S), 128 KB
6.000
LECTURA ALEATORIA (MÁX, IOPS), 4 KB QD32 T8
800000IOPS
ESCRITURA ALEATORIA (MÁXIMA, IOPS), 4 KB QD32 T8
1.000.000
DURABILIDAD/FIABILIDAD
TOTAL DE BYTES ESCRITOS (TB)
1.275
TIEMPO MEDIO ENTRE FALLOS (MTBF, HORAS)
1800000 HR
SERVICIOS DE RECUPERACIÓN DE DATOS 3 RESCUE (AÑOS)
3
GARANTÍA, LIMITADA (AÑOS)
5
ADMINISTRACIÓN DE ENERGÍA
CONSUMO DE ENERGÍA EN FUNCIONAMIENTO, PROMEDIO (W)
6.3 W
CONSUMO DE ENERGÍA EN REPOSO PS3, PROMEDIO (MW)
20 W
BAJO CONSUMO DE CORRIENTE MODO L1.2 (MW)
5
AMBIENTAL
TEMPERATURA INTERNA EN FUNCIONAMIENTO (°C)
0 °C 70 °C
TEMPERATURA, NO EN FUNCIONAMIENTO (°C)
-40 °C 85 °C
TOLERANCIA A GOLPES, NO EN FUNCIONAMIENTO: 0,5 MS (G)
1500 G
CARACTERÍSTICAS ESPECIALES
TRIM
SÍ
S.M.A.R.T.}
SÍ
SIN HALÓGENO
SÍ
CUMPLIMIENTO CON ROHS
SÍ
DATOS FÍSICOS
PROFUNDIDAD (MM/PULG., MÁX.)
80.15 MM/3.156 PULG.
ANCHO (MM/PULG., MÁX.)
22.15 MM/0.866 PULG.
ALTURA (MM/PULG., MÁX.)
2.23 MM/0.088 PULG.
PESO (G/LB)
8.1 G/0.017 LB
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